
基本信息:
- 专利标题: 用于晶圆薄膜磨削的终点检测方法及设备
- 申请号:CN202311002718.X 申请日:2023-08-10
- 公开(公告)号:CN116713892A 公开(公告)日:2023-09-08
- 发明人: 孟炜涛 , 蒋继乐
- 申请人: 北京特思迪半导体设备有限公司
- 申请人地址: 北京市顺义区杜杨北街3号院6号楼(顺创)
- 专利权人: 北京特思迪半导体设备有限公司
- 当前专利权人: 北京特思迪半导体设备有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市顺义区杜杨北街3号院6号楼(顺创)
- 主分类号: B24B37/013
- IPC分类号: B24B37/013 ; B24B49/12
摘要:
本发明涉及半导体领域,具体涉及一种用于晶圆薄膜磨削的终点检测方法及设备,该方法包括:在对晶圆薄膜进行磨削过程中,获取晶圆薄膜的反射率与波长关系的实测光谱曲线;在实测光谱曲线中确定多个特征点;基于多个特征点的波长值,分别在各个参考光谱曲线中确定相应的参考点;利用多个特征点与多个参考点,计算实测光谱曲线与各个参考光谱曲线的余弦相似度;根据余弦相似度确定与实测光谱数据匹配的参考光谱曲线;根据匹配的参考光谱曲线对应的厚度确定晶圆薄膜的当前厚度。本发明选用余弦相似度作为得分函数评价在多层介质情况下的相似性,提高了晶圆薄膜厚度在线检测的准确性。
公开/授权文献:
- CN116713892B 用于晶圆薄膜磨削的终点检测方法及设备 公开/授权日:2023-11-10
IPC结构图谱:
B | 作业;运输 |
--B24 | 磨削;抛光 |
----B24B | 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺;磨具磨损表面的修理或调节;磨削,抛光剂或研磨剂的进给 |
------B24B37/00 | 研磨机床或装置,即需要在相对软但仍为刚性的研具和被研磨表面之间加入粉末状磨料;及其附件 |
--------B24B37/005 | .研磨机床或装置的控制装置 |
----------B24B37/013 | ..检测研磨完成的设备或装置 |