基本信息:
- 专利标题： 一种含透明电极的碳化硅探测器芯片的制备方法及其应用
- 申请号：CN202310712127.5 申请日：2023-06-15
- 公开(公告)号：CN116705869A 公开(公告)日：2023-09-05
- 发明人： 王聪聪 , 史欣
- 申请人： 中国科学院高能物理研究所
- 申请人地址： 北京市石景山区玉泉路19号(乙)院
- 专利权人： 中国科学院高能物理研究所
- 当前专利权人： 中国科学院高能物理研究所
- 当前专利权人地址： 北京市石景山区玉泉路19号(乙)院
- 代理机构： 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理人： 朱惠惠
- 主分类号： H01L31/0224
- IPC分类号： H01L31/0224 ; H01L31/0216 ; H01L31/10 ; H01L31/18 ; G01T1/24
摘要：
本发明涉及探测器技术领域，提供一种含透明电极的抗辐照碳化硅探测器芯片的制备方法及其应用，所述芯片是从顶部表面垂直入射的探测器芯片，从顶部到底部包括：第一电极、透明电极、欧姆接触层、本征层、碳化硅衬底和第二电极；所述第一电极整体呈环形结构，其环形部位于所述透明电极边缘处且与所述第一电极之间为欧姆接触；所述透明电极与所述欧姆接触层之间形成电偶极层，用于接收光子或者高能粒子并进行载流子传输。本发明中制得的碳化硅探测器芯片不仅可以满足重离子探测、核反应堆探测和基于紫外激光的瞬态电流技术(TCT)的碳化硅探测器性能测试应用需求，而且该碳化硅探测器对穿过粒子的时间分辨性能和位置分辨性能也显著提升。