基本信息:
- 专利标题： 用于确定硅晶片上的细颗粒缺陷的方法
- 申请号：CN202210564307.9 申请日：2022-05-23
- 公开(公告)号：CN116646266A 公开(公告)日：2023-08-25
- 发明人： 朴佑泳
- 申请人： 爱思开矽得荣株式会社
- 申请人地址： 韩国庆尚北道
- 专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
- 当前专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国庆尚北道
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理人： 付尉琳; 张鑫
- 优先权： 10-2022-0019402 20220215 KR
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66
摘要：
公开了用于确定硅晶片上的细颗粒缺陷的方法，该方法包括检测硅晶片表面上的第一缺陷，在其上沉积薄膜，检测其上的第二缺陷，在薄膜沉积后确定是否形成附加缺陷，以及从附加缺陷中去除噪声。使用该方法，可识别在对第一缺陷进行检测之前存在于硅晶片的表面上的超细颗粒缺陷。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |