基本信息:
- 专利标题： 一种二次电子产额测量的校准装置及方法
- 申请号：CN202310382582.3 申请日：2023-04-12
- 公开(公告)号：CN116626741A 公开(公告)日：2023-08-22
- 发明人： 邓晨晖 , 韩立 , 牛耕 , 王鹏飞 , 王岩 , 赵伟霞
- 申请人： 中国科学院电工研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区中关村北二条6号
- 专利权人： 中国科学院电工研究所
- 当前专利权人： 中国科学院电工研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区中关村北二条6号
- 代理机构： 北京高沃律师事务所
- 代理人： 韩雪梅
- 主分类号： G01T7/00
- IPC分类号： G01T7/00 ; G01T1/29 ; G01N23/2251
摘要：
本发明公开一种二次电子产额测量的校准装置及方法，涉及二次电子发射现象及其应用领域；该校准装置包括：电子激发源、法拉第杯、收集极、束流测量仪和移动终端；电子激发源发射电子；收集极收集待测样品在经电子通孔入射的电子的照射下产生的二次电子；束流测量仪在法拉第杯处于电子激发源的下方且全部遮住电子通孔时，测量经法拉第杯传输的电子束束流，并测量二次电子的电流和透过待测样品的电流；移动终端根据二次电子的电流和透过待测样品的电流计算的二次电子产额，以及由二次电子的电流和电子束束流计算的修正系数得到二次电子校准产额；本发明通过依据修正系数进行二次电子产额的校准，实现二次电子产额的准确测量。