专利号CN202310757124.3 | 含氟聚合物的制造方法

专利标题：含氟聚合物的制造方法
申请号：CN202310757124.3 申请日：2019-03-01
公开(公告)号：CN116622018A 公开(公告)日：2023-08-22
发明人：难波义典 , 市川贤治 , 藤本阳平 , 吉田裕俊 , 佐藤洋之 , 加藤丈人 , 伊藤剑吾 , 石原寿美 , 东昌弘 , 米田聪 , 青山博一 , 助川胜通 , 岸川洋介 , 平良隆博 , 奥井千亚纪 , 山中拓
申请人：大金工业株式会社
申请人地址：日本大阪府大阪市
专利权人：大金工业株式会社
当前专利权人：大金工业株式会社
当前专利权人地址：日本大阪府大阪市
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
代理人：崔立宇; 褚瑶杨
优先权： 2018-216864 20181119 JP 2018-216864 20181119 JP
主分类号： C08F214/26
IPC分类号： C08F214/26 ; C08F214/18 ; C08F214/28 ; C08F214/22 ; C08F2/44 ; C08F2/24 ; B29C55/00

摘要：

本发明的目的在于提供一种新型的含氟聚合物的制造方法。本发明涉及一种含氟聚合物的制造方法，其包括下述工序：在包含聚合单元(1)的聚合物(1)的存在下，在水性介质中进行含氟单体的聚合，由此得到含氟聚合物，上述聚合单元(1)基于下述通式(1)所示的单体。CX2＝CY(‑CZ2‑O‑Rf‑A)(1)。

C	化学；冶金
--C08	有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
----C08F	仅用碳—碳不饱和键反应得到的高分子化合物
------C08F214/00	具有1个或更多的不饱和脂族基化合物的共聚物，每个不饱和脂族基只有1个碳—碳双键，并且至少有1个是以卤素为终端
--------C08F214/18	.含氟的单体
----------C08F214/26	..四氟乙烯

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