基本信息:
- 专利标题： 一种用于提高入射光转换的光伏元件
- 申请号：CN202310543079.1 申请日：2023-05-15
- 公开(公告)号：CN116581188A 公开(公告)日：2023-08-11
- 发明人： 夏金鑫 , 陶江陵 , 刘科学 , 马明强 , 顾荣 , 董前文 , 陶娟 , 高登峰 , 程林中 , 于思宇
- 申请人： 国网安徽省电力有限公司南陵县供电公司
- 申请人地址： 安徽省芜湖市南陵县春谷中路187号
- 专利权人： 国网安徽省电力有限公司南陵县供电公司
- 当前专利权人： 国网安徽省电力有限公司南陵县供电公司
- 当前专利权人地址： 安徽省芜湖市南陵县春谷中路187号
- 代理机构： 芜湖安汇知识产权代理有限公司
- 代理人： 朱圣荣
- 主分类号： H01L31/055
- IPC分类号： H01L31/055 ; H01L31/05 ; H01L31/048 ; H01L31/0445
摘要：
本发明揭示了一种用于提高入射光转换的光伏元件，其包括用于改善入射光的转换的光学功能表面层。该层的功能包括吸收具有低波长的入射阳光，并将其作为具有较高波长的光辐射再次发射，使得该光谱可用于太阳能电池。为了解决将这样的层嵌入薄膜太阳能电池中的问题，该薄膜太阳能电池具有布置在前侧的衬底，同时确保高耐候性，提出将光学功能层布置在前侧上的附加封装元件中，从而将光伏元件构造为双复合组件或多复合组件。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/042 | ..包括光电池板或阵列，如太阳电池板或阵列 |
| ------------H01L31/052 | ...具有冷却、反光或集光装置的 |
| --------------H01L31/055 | ....在光吸收处，由集光体，如由发光材料，再发射不同波长的光 |