基本信息:
- 专利标题： 超导集成电路及其制备方法
- 申请号：CN202310602718.7 申请日：2023-05-25
- 公开(公告)号：CN116568123A 公开(公告)日：2023-08-08
- 发明人： 谢辉 , 何桂香 , 应利良 , 彭炜 , 王镇
- 申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 申请人地址： 上海市长宁区长宁路865号
- 专利权人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区长宁路865号
- 代理机构： 上海光华专利事务所
- 代理人： 卢炳琼
- 主分类号： H10N60/01
- IPC分类号： H10N60/01 ; H10N60/80 ; H10N69/00
摘要：
本发明提供一种超导集成电路及其制备方法，在绝缘层生长时引入两步生长法，或进一步的在电感外侧形成支撑件以提供绝缘层生长的合适间距，从而填补图形之间的间隙，形成良好的台阶覆盖性，克服因台阶阴影效应导致的台阶缝隙金属沉积现象，不但能够有效提升超导集成电路的性能稳定性及可靠性，而且不需要沉积较厚的绝缘层，可缩短绝缘层制备的时间，降低制造成本。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10N | 其它不包括的电固态器件 |
| ------H10N60/00 | 超导器件 |
| --------H10N60/01 | .制造或处理 |