基本信息:
- 专利标题： 一种TVS器件及其制造方法
- 申请号：CN202310546860.4 申请日：2023-05-15
- 公开(公告)号：CN116525608B 公开(公告)日：2024-10-29
- 发明人： 张轩瑞 , 陈美林
- 申请人： 上海晶岳电子有限公司
- 申请人地址： 上海市闵行区紫星路588号2幢3楼328室
- 专利权人： 上海晶岳电子有限公司
- 当前专利权人： 上海晶岳电子有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市闵行区紫星路588号2幢3楼328室
- 代理机构： 上海塔科专利代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 冯春风
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02 ; H01L29/861 ; H01L21/329
摘要：
本发明提供了一种TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：基板主体，所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区；所述元胞区中形成有MOS管，所述触发区中形成有TVS管，所述TVS管为N型半导体和P半导体相互间隔的结构；所述基板主体上形成有栅极电阻、栅极结构、互连金属；构成所述TVS管、所述栅极电阻和所述栅极结构的材料在同一工艺步骤中形成；所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；所述互连金属使所述TVS管的阳极通过所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；使所述栅极电阻并联于所述TVS管的阳极与所述MOS管的源极之间；使所述MOS的漏极与所述TVS管的阴极相连。
公开/授权文献:
- CN116525608A 一种TVS器件及其制造方法 公开/授权日：2023-08-01