基本信息:
- 专利标题： 多铁性复合薄膜以及其制备方法和应用
- 申请号：CN202310275376.2 申请日：2023-03-16
- 公开(公告)号：CN116471919A 公开(公告)日：2023-07-21
- 发明人： 洪宾 , 王子岳 , 张帆 , 许涌 , 张悦 , 赵巍胜
- 申请人： 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
- 申请人地址： 安徽省合肥市新站高新区文忠路999号
- 专利权人： 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
- 当前专利权人： 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市新站高新区文忠路999号
- 代理机构： 合肥天明专利事务所
- 代理人： 张梦媚
- 主分类号： H10N50/85
- IPC分类号： H10N50/85 ; H10N50/01 ; H10B61/00 ; C23C14/34 ; C23C14/08 ; C23C14/28 ; C23C14/54
摘要：
本发明公开了一种多铁性复合薄膜以及其制备方法和应用，所述的多铁性复合薄膜包括衬底；生长在所述衬底表面的LSMO/STO超晶格结构；生长在所述LSMO/STO超晶格结构远离所述衬底表面的LSMO薄膜层；其中，所述LSMO/STO超晶格结构由周期性生长的镧锶锰氧LSMO薄膜层和钛酸锶STO膜层所构成。通过本发明的制备方法制得的多铁性复合薄膜具有室温多铁性，可以构造出更多的多铁性材料，为未来低功耗器件应用提供基础。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10N | 其它不包括的电固态器件 |
| ------H10N50/00 | 电磁器件（霍尔效应器件H10N52/00） |
| --------H10N50/80 | .结构零部件 |
| ----------H10N50/85 | ..磁性活性材料 |