基本信息:
- 专利标题： 半导体器件和包括该半导体器件的数据储存系统
- 申请号：CN202310082481.4 申请日：2023-01-18
- 公开(公告)号：CN116471843A 公开(公告)日：2023-07-21
- 发明人： 申秀斌 , 金相元 , 金知勇 , 宋炫周 , 任霞彬
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 翟然
- 优先权： 10-2022-0008548 20220120 KR
- 主分类号： H10B41/30
- IPC分类号： H10B41/30 ; H10B41/27 ; H10B43/30 ; H10B43/27
摘要：
一种半导体器件包括：具有栅电极和层间绝缘层的堆叠结构，该堆叠结构具有单元区域和台阶区域，并且栅电极在第一方向上延伸以在台阶区域中具有台阶形状；在单元区域中穿过堆叠结构的沟道结构；穿过堆叠结构并在第一方向上延伸的分离结构；以及在台阶区域中在分离结构之间并穿过堆叠结构的支撑结构。台阶区域包括第一区域和第二区域，第一区域在第一方向上比第二区域更靠近单元区域，支撑结构包括分别穿过第一区域和第二区域中的堆叠结构的第一支撑结构和第二支撑结构，第一支撑结构的最大宽度大于第二支撑结构的最大宽度。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10B | 电存储器件 |
| ------H10B41/00 | 具有浮栅的电可擦除和可编程只读存储器 |
| --------H10B41/30 | .以存储器核心区为特征的 |