基本信息:
- 专利标题： SGT MOS器件及其制作方法
- 申请号：CN202310419365.7 申请日：2023-04-19
- 公开(公告)号：CN116435185A 公开(公告)日：2023-07-14
- 发明人： 邱立军 , 王丽 , 刘秀勇 , 钱佳成 , 马栋 , 李志国
- 申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
- 专利权人： 华虹半导体(无锡)有限公司
- 当前专利权人： 华虹半导体(无锡)有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
- 代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理人： 赵薇
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L29/423
摘要：
本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种SGT MOS器件及其制作方法。通过等离子体注入第一导电类型杂质，在深沟槽两侧的外延层上层形成第一导电类型掺杂沟道区；通过等离子体注入第二导电类型杂质，在第一导电类型掺杂沟道区上的外延层表层形成第二导电类型掺杂源区；开设接触孔，使得接触孔依次穿过第二导电类型掺杂源区延伸至第一导电类型掺杂沟道区中；进行非晶元素离子注入，使得在接触孔底端外周的第一导电类型掺杂沟道区中形成非晶掺杂区；向接触孔的底端注入第一导电类型杂质，使得在接触孔底端外周的非晶掺杂区中形成第一导电类型掺杂接触区；其中第一导电类型掺杂接触区与第一导电类型掺杂沟道区之间间隔非晶掺杂区。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |