基本信息:
- 专利标题： 具有垂直沟道的垂直三维存储器
- 申请号：CN202180072595.X 申请日：2021-10-18
- 公开(公告)号：CN116420436A 公开(公告)日：2023-07-11
- 发明人： K·M·考尔道 , 刘海涛 , 杨立涛
- 申请人： 美光科技公司
- 申请人地址： 美国爱达荷州
- 专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人地址： 美国爱达荷州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 王龙
- 优先权： 17/093,869 20201110 US
- 国际申请： PCT/US2021/055381 2021.10.18
- 国际公布： WO2022/103552 EN 2022.05.19
- 进入国家日期： 2023-04-24
- 主分类号： H10B12/00
- IPC分类号： H10B12/00
摘要：
本发明提供用于垂直堆叠存储器单元阵列的系统、方法及设备，所述垂直堆叠存储器单元阵列具有：垂直定向存取装置，其具有通过沟道区垂直分离的第一源极/漏极区及第二源极漏极区及与所述沟道区相对的栅极；垂直定向存取线，其耦合到所述栅极且通过栅极电介质与沟道区分离。所述存储器单元具有耦合到所述第一源极/漏极区的水平定向储存节点及耦合到所述第二源极/漏极区的水平定向数字线。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10B | 电存储器件 |
| ------H10B12/00 | 动态随机存取存储器（DRAM） |