![一种利用顶部-内部籽晶熔渗生长法制备钇钡铜氧超导块材的方法](/CN/2022/1/320/images/202211600690.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 一种利用顶部-内部籽晶熔渗生长法制备钇钡铜氧超导块材的方法
- 申请号:CN202211600690.5 申请日:2022-12-12
- 公开(公告)号:CN116397313A 公开(公告)日:2023-07-07
- 发明人: 杨万民 , 阿卜力孜·阿卜来提
- 申请人: 陕西师范大学
- 申请人地址: 陕西省西安市长安区西长安街620号陕西师范大学长安校区
- 专利权人: 陕西师范大学
- 当前专利权人: 陕西师范大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市长安区西长安街620号陕西师范大学长安校区
- 代理机构: 西安赛嘉知识产权代理事务所
- 代理人: 王伟超
- 主分类号: C30B1/12
- IPC分类号: C30B1/12 ; C30B29/22
摘要:
本发明提供了一种利用顶部‑内部籽晶熔渗生长法制备织构钇钡铜氧超导块材的方法,包括如下重要步骤:制备籽晶、固相先驱块(内部设置籽晶)、液相先驱块、支撑块,装配胚体;装配完成后,采用顶部‑内部籽晶熔渗生长方法制备织构钇钡铜氧块材;最后对织构钇钡铜氧块材进行渗氧处理,渗氧处理后得到钇钡铜氧超导块材。本发明提供的方法除了进一步缩短大尺寸钇钡铜氧超导块材的制备时间,也可提高样品的机械强度、超导性能及其均匀性。