基本信息:
- 专利标题： GaN基器件欧姆接触的制备方法
- 申请号：CN202111627763.5 申请日：2021-12-28
- 公开(公告)号：CN116364534A 公开(公告)日：2023-06-30
- 发明人： 何元浩
- 申请人： 华润微电子(重庆)有限公司
- 申请人地址： 重庆市沙坪坝区西永大道25号
- 专利权人： 华润微电子(重庆)有限公司
- 当前专利权人： 华润微电子(重庆)有限公司
- 当前专利权人地址： 重庆市沙坪坝区西永大道25号
- 代理机构： 上海光华专利事务所
- 代理人： 贺妮妮
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L29/417 ; H01L29/45 ; H01L21/335 ; C23F1/02 ; C23F1/12
摘要：
本发明提供一种GaN基器件欧姆接触的制备方法，包括：提于衬底上形成GaN基外延结构；于GaN基外延结构上形成绝缘层，并进行图形化；于绝缘层上沉积金属层；于金属层上形成光阻层，并进行图形化；采用干法刻蚀工艺去除未被光阻层遮挡的金属层，剩余金属层形成为欧姆接触金属；去除光阻层；采用低功率干法刻蚀处理金属表面，去除欧姆接触金属预设厚度，其中，采用的参数为：采用含氯气体；偏压功率介于0W～25W之间，不包括0W；源功率介于400W～750W之间；对欧姆接触金属进行退火工艺，形成欧姆接触。通过在干法刻蚀形成欧姆接触金属后对该欧姆接触金属采用低功率干法刻蚀处理金属表面，有效提高欧姆接触金属的纯度，进而在退火后提高形成的欧姆接触的电性能。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |