基本信息:
- 专利标题： 自旋电子器件、电路单元、计算网络、算子以及神经网络
- 申请号：CN202310339778.4 申请日：2023-03-31
- 公开(公告)号：CN116322276A 公开(公告)日：2023-06-23
- 发明人： 邢国忠 , 王迪 , 汤瑞丰 , 刘明
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 张博
- 主分类号： H10N50/20
- IPC分类号： H10N50/20 ; H10N50/10 ; H10N50/01 ; G06N10/20 ; G06N3/049 ; G06N3/063
摘要：
本公开提供了一种自旋电子器件、电路单元、计算网络、算子以及神经网络。该随机自旋电子器件包括：加热器，加热器用于写入控制脉冲信号；隔离层，形成于加热器的顶面；反铁磁层，形成于隔离层的顶面；铁磁层，形成于反铁磁层的顶面，其中，反铁磁层用于固定铁磁层的磁矩，以使得铁磁层不产生磁畴壁；RKKY耦合层，形成于铁磁层的顶面；磁隧道结，形成于RKKY耦合层的顶面一侧，其中，在写入脉冲信号输入的情况下，磁隧道结的磁畴壁自由层中的磁畴壁发生运动。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10N | 其它不包括的电固态器件 |
| ------H10N50/00 | 电磁器件（霍尔效应器件H10N52/00） |
| --------H10N50/20 | .自旋极化电流控制器件 |