基本信息:
- 专利标题： 高光效深紫外发光二极管及其制备方法
- 申请号：CN202111549806.2 申请日：2021-12-17
- 公开(公告)号：CN116266618A 公开(公告)日：2023-06-20
- 发明人： 邓彪 , 刘乐功 , 熊文浚 , 冯美鑫 , 孙钱 , 刘卫 , 杨勇 , 杨辉
- 申请人： 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 申请人地址： 广东省佛山市南海区狮山镇科教路1号;
- 专利权人： 广东中科半导体微纳制造技术研究院,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 当前专利权人： 广东中科半导体微纳制造技术研究院,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 当前专利权人地址： 广东省佛山市南海区狮山镇科教路1号;
- 代理机构： 南京利丰知识产权代理事务所
- 代理人： 赵世发
- 主分类号： H01L33/24
- IPC分类号： H01L33/24 ; H01L33/32 ; H01L33/38 ; H01L33/44 ; H01L33/00
摘要：
本发明公开了一种高光效深紫外发光二极管及其制备方法。所述高光效深紫外发光二极管包括：外延结构，所述外延结构包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极和第二电极，所述第一电极、第二电极分别经第一欧姆接触层、第二欧姆接触层与所述第一半导体层、第二半导体层电性接触；所述第一半导体层、第一欧姆接触层、第二欧姆接触层为第一掺杂类型，所述第二半导体层为第二掺杂类型。本发明实施例提供的一种高光效深紫外发光二极管采用重掺杂的欧姆接触层降低了p型与n型欧姆接触结构的制作难度，可以同时实现p型及n型电极的高反射率，大幅提高器件的取光效率。