基本信息:
- 专利标题： 一种双层掩膜改善钛铝腐蚀形貌的方法及器件
- 申请号：CN202310120878.8 申请日：2023-02-02
- 公开(公告)号：CN116230527A 公开(公告)日：2023-06-06
- 发明人： 孙俊敏 , 魏晓光 , 朱涛 , 李玲 , 吴沛飞 , 白雪 , 董佳俊 , 王海兴 , 周行 , 李嘉琳 , 张丙可 , 金锐 , 杨霏
- 申请人： 国网智能电网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
- 申请人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号;
- 专利权人： 国网智能电网研究院有限公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人： 国网智能电网研究院有限公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号;
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐国文
- 主分类号： H01L21/3213
- IPC分类号： H01L21/3213 ; H01L21/28
摘要：
本发明提供一种双层掩膜改善钛铝腐蚀形貌的方法及器件，包括：在晶圆表面依次沉积金属钛层和金属铝层，并在所述金属铝层上生长预设厚度的氧化膜；在所述金属钛层和金属铝层待腐蚀区域对应的所述氧化膜表面上旋涂光刻胶，对所述光刻胶进行光刻处理，形成具有预设形状窗口的光刻胶膜；通过所述具有预设形状窗口的光刻胶膜对所述氧化膜进行刻蚀，形成具有预设形状窗口的氧化膜；通过所述具有预设形状窗口的氧化膜和光刻胶膜对金属铝层和金属钛层依次进行腐蚀，得到具有预设形状窗口的金属钛层和金属铝层，并去除所述光刻胶膜和氧化膜，所述金属钛层和金属铝层的窗口边缘形貌为预设形状。可改善金属腐蚀边缘形貌，有效去除氧化膜而不影响芯片性能。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/3205 | ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层（器件内部的通电装置入H01L23/52）；这些层的后处理 |
| --------------------H01L21/321 | .......后处理 |
| ----------------------H01L21/3213 | ........对该层进行物理的或化学的腐蚀，例如由预沉积的外延层产生一个形成图形的层 |