基本信息:
- 专利标题： 一种离子共掺的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法
- 申请号：CN202310025830.9 申请日：2023-01-09
- 公开(公告)号：CN116130342A 公开(公告)日：2023-05-16
- 发明人： 王思宇 , 陈琦 , 马云鹏
- 申请人： 天津商业大学
- 申请人地址： 天津市北辰区光荣道409号
- 专利权人： 天津商业大学
- 当前专利权人： 天津商业大学
- 当前专利权人地址： 天津市北辰区光荣道409号
- 代理机构： 天津市三利专利商标代理有限公司
- 代理人： 仝林叶
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L31/032 ; H01L31/0392 ; H01L31/18 ; H01L31/068
摘要：
本发明提供了一种离子共掺的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法，该离子共掺的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法，包括：在Mo电极上沉积金属预置层薄膜；在硒化过程中引入碱金属硫化物作为碱金属源和硫源，对铜基吸收层薄膜进行碱金属和硫离子共掺，获得碱金属和硫离子共掺的铜基薄膜太阳电池。本发明中经过离子共掺杂后，铜基吸收层薄膜的带隙拓宽，电池的开路电压得到大幅提升，因此使效率获得提升。采用碱金属硫化物对铜基薄膜进行共掺杂的工艺简单，降低了太阳电池的制造成本。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |