基本信息:
- 专利标题： 一种易于集成的耗尽型MOSFET器件结构
- 申请号：CN202310167097.4 申请日：2023-02-27
- 公开(公告)号：CN116093135A 公开(公告)日：2023-05-09
- 发明人： 吴素贞 , 洪根深 , 徐政 , 徐海铭 , 郑若成 , 谢儒彬 , 张庆东
- 申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
- 申请人地址： 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
- 代理机构： 无锡派尔特知识产权代理事务所
- 代理人： 杨立秋
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/423 ; H01L29/78
摘要：
本发明公开一种易于集成的耗尽型MOSFET器件结构，属于MOSFET集成电路制造领域，第一导电型阱区形成于半导体衬底上，第二导电型沟道区形成于第一导电型阱区上；第二导电型沟道区上形成有栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成有栅电极；栅电极的两侧分别形成有第二导电型源极区和第二导电型漏极区；第二导电型源极区和第二导电型漏极区的宽度要分别大于第二导电型沟道区，第二导电型沟道区宽度方向上的两侧第一导电型阱区也被栅极绝缘膜覆盖，通过调整栅极绝缘膜所覆盖的第二导电型沟道区的宽度与所覆盖的第一导电型阱区的宽度比，调整耗尽型MOSFET的开态饱和特性和关态漏电特性。本发明与常规增强型MOSFET兼容、工艺流程简单，能够提高耗尽型MOSFET器件的可集成性。