基本信息:
- 专利标题： 改善图像拖尾的图像传感器像素结构及其控制方法
- 申请号：CN202111282975.4 申请日：2021-11-01
- 公开(公告)号：CN116093119A 公开(公告)日：2023-05-09
- 发明人： 郭同辉 , 徐辰 , 邵泽旭 , 石文杰 , 赵春 , 张淏洋 , 侯金剑 , 任冠京
- 申请人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
- 专利权人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
- 当前专利权人： 思特威(上海)电子科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
- 代理机构： 上海光华专利事务所
- 代理人： 罗泳文
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146 ; H04N25/625
摘要：
本发明提供一种改善图像拖尾的图像传感器像素结构及其控制方法，在图像传感器像素结构中设置位于光电二极管上的电荷传输辅助栅，通过在光电二极管积分周期内，将电荷传输辅助栅的栅极处于高电位状态，从而使得光电二极管N型区的完全耗尽电势增高及电荷容量增高；在第一复位操作和光电电荷信号的传输操作的过程中，将电荷传输辅助栅的栅极处于低电位状态，可降低光电二极管N型区的完全耗尽电势，电荷传输辅助栅起到驱赶电荷的作用，有效提升电荷从光电二极管传输到漂浮扩散有源区的效率，避免光电二极管N型区电荷残留问题，从而本发明可有效改善图像传感器图像拖影的问题。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |