基本信息:
- 专利标题： 一种在半导体功能区侧面制作电极的方法
- 申请号：CN202310206575.8 申请日：2023-03-07
- 公开(公告)号：CN116072531A 公开(公告)日：2023-05-05
- 发明人： 陈勘 , 吕优 , 刘庆波 , 黎子兰
- 申请人： 徐州致能半导体有限公司 , 广东致能科技有限公司
- 申请人地址： 江苏省徐州市徐州高新技术产业开发区珠江东路11号管委会大楼1205室;
- 专利权人： 徐州致能半导体有限公司,广东致能科技有限公司
- 当前专利权人： 徐州致能半导体有限公司,广东致能科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省徐州市徐州高新技术产业开发区珠江东路11号管委会大楼1205室;
- 代理机构： 北京威禾知识产权代理有限公司
- 代理人： 王月玲
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/285 ; H01L21/3213
摘要：
本发明公开了一种在半导体功能区侧面制作电极的方法，属于半导体技术领域，用于解决器件占有晶圆面积大、晶圆利用率低的问题。所述方法包括：至少在半导体功能区曝露的部分侧面提供第一介质层，其中半导体功能区曝露的侧面包括第一区域以及第二区域，所述第一介质层被配置在所述第一区域的下方；提供第一电极层，其中所述第一电极层的厚度与所述第一区域的高度相同；提供光刻胶，其至少覆盖第一介质层上方的第一电极层；移除部分第一电极层，保留与所述第一区域对应的所述第一介质层上方的部分第一电极层作为第一电极；以及移除所述光刻胶。按照本发明所述方法制作器件电极，能够有效提高器件的晶圆利用率。
公开/授权文献:
- CN116072531B 一种在半导体功能区侧面制作电极的方法 公开/授权日：2023-08-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |