基本信息:
- 专利标题： 降写入电压的单层多晶硅存储单元、存储阵列及操作方法
- 申请号：CN202310042264.2 申请日：2023-01-28
- 公开(公告)号：CN116056458B 公开(公告)日：2023-06-20
- 发明人： 高瑞彬 , 许军 , 李真
- 申请人： 苏州贝克微电子股份有限公司 , 清华大学
- 申请人地址： 江苏省苏州市高新区科技城济慈路150号1幢;
- 专利权人： 苏州贝克微电子股份有限公司,清华大学
- 当前专利权人： 苏州贝克微电子股份有限公司,清华大学
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市高新区科技城济慈路150号1幢;
- 代理机构： 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理人： 薛异荣
- 主分类号： H10B41/30
- IPC分类号： H10B41/30 ; H10B41/00 ; G11C5/02 ; G11C7/10
摘要：
本发明提供一种降写入电压的单层多晶硅存储单元、存储阵列及操作方法，存储单元包括：控制管和隧穿管和读出管；隧穿管包括：第一阱区；第一栅极层；第一掺杂区，位于第一栅极层一侧的第一阱区中且与第一阱区的导电类型相同；第二掺杂区和第三掺杂区，均位于第一栅极层另一侧的第一阱区中且延伸至部分第一栅极层底部的第一阱区中；第三掺杂区位于第二掺杂区朝向所述第一掺杂区的一侧且与第二掺杂区邻接；第三掺杂区与第二掺杂区的导电类型相反且与第一掺杂区的导电类型相同；控制管包括：第二阱区和第二栅极层，第二阱区接出控制端，第二栅极层和第一栅极层以及读出管的第三栅极层电连接构成浮栅节点。所述存储单元降低了写入电压。
公开/授权文献:
- CN116056458A 降写入电压的单层多晶硅存储单元、存储阵列及操作方法 公开/授权日：2023-05-02
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10B | 电存储器件 |
| ------H10B41/00 | 具有浮栅的电可擦除和可编程只读存储器 |
| --------H10B41/30 | .以存储器核心区为特征的 |