
基本信息:
- 专利标题: 一种大片径石墨烯的电化学制备方法
- 申请号:CN202310214906.2 申请日:2023-03-08
- 公开(公告)号:CN116002674A 公开(公告)日:2023-04-25
- 发明人: 徐友龙 , 刘瑞卓 , 张渊 , 王景平
- 申请人: 西安交通大学
- 申请人地址: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理人: 安彦彦
- 主分类号: C01B32/19
- IPC分类号: C01B32/19 ; C25B1/135 ; C25B1/50
摘要:
本发明公开了一种大片径石墨烯的电化学制备方法,包括以下步骤惰性气体保护下,采用三电极体系,在电解液中,将电位由离子嵌入最低电位升高至离子嵌入最高电位,制得石墨层间化合物,然后在离子分解电位下恒电位电解,剥离石墨层间化合物,制得大片径石墨烯。本方法制备的石墨烯片径可达到10μm量级,并且氧化程度低,缺陷少,可应用于MOS器件。