![一种Ag-Ti3SiC2电接触材料的组分调控方法](/CN/2022/1/294/images/202211472904.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 一种Ag-Ti3SiC2电接触材料的组分调控方法
- 申请号:CN202211472904.5 申请日:2022-11-17
- 公开(公告)号:CN115927900A 公开(公告)日:2023-04-07
- 发明人: 张健 , 刘增乾 , 张哲峰 , 谢曦 , 杨锐 , 徐大可
- 申请人: 东北大学 , 中国科学院金属研究所
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号;
- 专利权人: 东北大学,中国科学院金属研究所
- 当前专利权人: 东北大学,中国科学院金属研究所
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号;
- 代理机构: 沈阳东大知识产权代理有限公司
- 代理人: 李珉
- 主分类号: C22C1/051
- IPC分类号: C22C1/051 ; C22C29/00 ; B22F9/04 ; B22F3/14 ; B22F3/11 ; B22D23/04 ; H01H1/023
摘要:
本发明属于银基电接触材料技术领域,特别涉及一种Ag‑Ti3SiC2电接触材料的组分调控方法。所述方法称量银粉、Ti3SiC2粉制备成混合粉,依据银粉的添加量匹配相应的热压烧结温度与压力,制备出具有Ti3SiC2相连续三维互穿结构的混合粉多孔骨架,再高温熔渗金属银,得到两相各自连续、高金属银含量的Ag‑Ti3SiC2电接触材料。与骨架成型和高温熔渗工艺相比,本发明通过金属占位法提高电接触材料中银含量的占比,有利于提高电接触材料的导电率,还可减少Ti3SiC2粉形成的闭孔,有利于提高电接触材料的韧性,同时保证电接触材料具有抗电弧侵蚀、抗熔焊和耐磨性等特点。
公开/授权文献:
- CN115927900B 一种Ag-Ti 公开/授权日:2024-06-07
IPC结构图谱:
C | 化学;冶金 |
--C22 | 冶金(铁的冶金入C21);黑色或有色金属合金;合金或有色金属的处理 |
----C22C | 合金 |
------C22C1/00 | 合金的制造 |
--------C22C1/02 | .用熔炼法 |
----------C22C1/05 | ..金属粉末与非金属粉末的混合物 |
------------C22C1/051 | ...基于硼化物、碳化物、氮化物、氧化物或硅化物的硬质金属的制备;作为其起始材料的粉末混合物的准备 |