基本信息:
- 专利标题： 一种SAR ADC分段结构低段寄生校正方法
- 申请号：CN202211685228.X 申请日：2022-12-27
- 公开(公告)号：CN115913230A 公开(公告)日：2023-04-04
- 发明人： 何乐年 , 施政学 , 奚剑雄 , 张啸蔚
- 申请人： 浙江大学 , 杭州悦芯微电子有限公司
- 申请人地址： 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号;
- 专利权人： 浙江大学,杭州悦芯微电子有限公司
- 当前专利权人： 浙江大学,杭州悦芯微电子有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号;
- 代理机构： 杭州天勤知识产权代理有限公司
- 代理人： 王琛
- 主分类号： H03M1/10
- IPC分类号： H03M1/10 ; H03M1/18
摘要：
本发明公开了一种SAR ADC分段结构低段寄生校正方法，该校正方法在传统分段SAR ADC的基础上增加一个额外的基准源以消除桥电容分段后低段阵列寄生电容的影响，从而增加低段电容的位数，降低单位电容的容值，进而降低电容阵列的总容值以减小功耗。该校正方法在上电后可根据数字逻辑进行自动校正，首先测量比较器的失调以避免比较器失调对校正结果的影响，随后会逐次逼近确定可调基准源输出电压的大小以消除寄生电容的影响，结果会存储在寄存器中，当进行正常转换时读取寄存器中的校正码，如此可以消除寄生电容带来的影响。本发明可以广泛应用于SAR ADC设计中，用于减小电容面积和降低功耗。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03M | 一般编码、译码或代码转换 |
| ------H03M1/00 | 模/数转换；数/模转换 |
| --------H03M1/10 | .校正或测试 |