基本信息:
- 专利标题： 一种基于非铅Cs2AgBiBr6双钙钛矿薄膜的太阳电池及其制备方法
- 申请号：CN202211514140.1 申请日：2022-11-30
- 公开(公告)号：CN115863457A 公开(公告)日：2023-03-28
- 发明人： 杨培志 , 李佳保 , 段加龙 , 杨雯 , 戚自婷 , 王琴 , 郭江涛 , 姚雪梅
- 申请人： 云南师范大学
- 申请人地址： 云南省昆明市呈贡区雨花片区1号
- 专利权人： 云南师范大学
- 当前专利权人： 云南师范大学
- 当前专利权人地址： 云南省昆明市呈贡区雨花片区1号
- 代理机构： 西安研实知识产权代理事务所
- 代理人： 罗磊
- 主分类号： H01L31/032
- IPC分类号： H01L31/032 ; H01L31/04 ; H01L31/0224 ; H01L31/18
摘要：
本发明涉及一种基于非铅Cs2AgBiBr6双钙钛矿薄膜的太阳电池及其制备方法，属于新型钙钛矿太阳电池技术领域。所述钙钛矿太阳电池器件结构由下至上依次包括透明导电玻璃阴极、电子传输层、钙钛矿光吸收层、对电极；所述的钙钛矿光吸收层采用两步旋涂法来制备，先将AgBr、BiBr3溶于二甲基亚砜中，充分溶解后旋涂于透明导电玻璃阴极衬底上，在一定温度下退火去除二甲基亚砜溶剂；然后采用绿色溶剂水来溶解CsBr，并旋涂于前一步的衬底上，在一定温度下退火得到所需要的Cs2AgBiBr6薄膜。采用该方法制得的薄膜较厚，均匀致密，光吸收增强，进而提高了器件的光电转换效率，且制备成本低，操作简单，绿色环保。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/0256 | ..以材料为特征的 |
| ------------H01L31/0264 | ...无机材料 |
| --------------H01L31/032 | ....除掺杂或其他杂质外，只包含未列入H01L31/0272至H01L31/0312各组的化合物 |