基本信息:
- 专利标题： 一种场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管
- 申请号：CN202310083670.3 申请日：2023-02-08
- 公开(公告)号：CN115831760B 公开(公告)日：2023-05-26
- 发明人： 彭聪 , 宋家琪 , 柴立元 , 梁彦杰 , 闵小波 , 彭兵 , 王海鹰 , 柯勇 , 刘相恒 , 刘振兴 , 周元 , 赖心婷
- 申请人： 中南大学
- 申请人地址： 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
- 专利权人： 中南大学
- 当前专利权人： 中南大学
- 当前专利权人地址： 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
- 代理机构： 长沙知行亦创知识产权代理事务所
- 代理人： 李杰
- 主分类号： H01L21/34
- IPC分类号： H01L21/34 ; H01L29/786 ; H01L29/24
摘要：
本发明提供了一种场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管，该方法包括步骤：S1.将层状纳米片转移至衬底材料，形成基底物；其中，层状纳米片的厚度为5nm~1μm，衬底材料包括沿衬底材料的厚度方向层叠设置的栅电极和介电层，层状纳米片位于介电层远离栅电极的一侧；S2.将孔状片体覆盖于基底物之上，在孔状片体上喷镀导电金属，以使层状纳米片上对应孔状片的孔洞位置处形成导电金属层，得场效应晶体管，导电金属层的数量至少为两个；其中，孔状片体中孔洞的外径为205~210μm。本发明操作简单、效果显著，值得推广。
公开/授权文献:
- CN115831760A 一种场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管 公开/授权日：2023-03-21