基本信息:
- 专利标题： 一种基于金属薄膜的电致变发射率器件及其制备方法、应用
- 申请号：CN202211447103.3 申请日：2022-11-18
- 公开(公告)号：CN115826309A 公开(公告)日：2023-03-21
- 发明人： 刘东青 , 程柏璋
- 申请人： 中国人民解放军国防科技大学
- 申请人地址： 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 专利权人： 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人： 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人地址： 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 代理机构： 长沙国科天河知识产权代理有限公司
- 代理人： 陈俊好
- 主分类号： G02F1/1524
- IPC分类号： G02F1/1524 ; G02F1/1514 ; G02F1/1523 ; G02F1/1506 ; G02F1/155 ; G02F1/15
摘要：
本发明公开一种基于金属薄膜的电致变发射率器件及其制备方法、应用，该器件自上而下依次包括基底、变发射率金属层、金属催化层、电解质层及离子储存层及对电极。变发射率金属层为Mg3Ni合金薄膜，Mg作为一种性能良好的储氢材料，其可与氢发生反应，实现导体到半导体的可逆转变；Ni具有催化特性，可提升Mg与H的反应速率。对器件施加‑2.6V的电压时，离子储存层中的质子在电场作用下脱出，器件由低发射态转变为高发射态。反向偏压时，器件回到低发射态。此外，本发明中的器件实现了电极与变发射率层的一体化，无需额外制备红外透明电极，使得器件具有较大的发射率调控量。
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G02 | 光学 |
| ----G02F | 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器 |
| ------G02F1/00 | 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学 |
| --------G02F1/01 | .对强度、相位、偏振或颜色的控制 |
| ----------G02F1/09 | ..基于磁—光元件的，例如，呈现法拉第效应的 |
| ------------G02F1/1514 | ...以电致变色材料为特征的，例如以电沉积材料为特征的 |
| --------------G02F1/1523 | ....包含无机材料 |
| ----------------G02F1/1524 | .....过渡金属化合物 |