基本信息:
- 专利标题： 一种超高熔点稀土掺杂氧化铪光学单晶体的生长方法
- 申请号：CN202211701832.7 申请日：2022-12-29
- 公开(公告)号：CN115821387A 公开(公告)日：2023-03-21
- 发明人： 邓文 , 武文霞 , 张辉婷 , 曾甯菡 , 朱中华 , 徐守磊 , 熊定康 , 黄宇阳
- 申请人： 广西大学
- 申请人地址： 广西壮族自治区南宁市西乡塘区大学东路100号
- 专利权人： 广西大学
- 当前专利权人： 广西大学
- 当前专利权人地址： 广西壮族自治区南宁市西乡塘区大学东路100号
- 代理机构： 北京博识智信专利代理事务所
- 代理人： 邓凌云
- 主分类号： C30B29/16
- IPC分类号： C30B29/16 ; C30B13/00 ; C30B13/16
摘要：
本发明公开了单晶薄膜技术领域的一种超高熔点稀土掺杂氧化铪光学单晶体的生长方法，所述生长方法包括以下步骤：S1、提高光学浮区炉的加热温度；S2、陶瓷料棒的制备：称量→混料→搅拌→烘干→制作料棒→抽气→等静压→烧结；S3、晶体生长：对直→对接→缩颈→扩肩→等径→收尾；S4、晶体加工：退火→切割→抛光；本发明中HfO2作为一种高介电常数材料可替代目前硅基集成电路的核心器件的栅极绝缘层二氧化硅，实现最小化有效电容厚度；加入氧化镨、氧化镥可以稳定氧化铪晶体，具有很好的结构稳定性；由于氧化铪的熔点极高，用一般的方法无法生长氧化铪单晶体，本发明采用光学浮区法生长高质量超高熔点稀土掺杂氧化铪光学单晶体。
公开/授权文献:
- CN115821387B 一种超高熔点稀土掺杂氧化铪光学单晶体的生长方法 公开/授权日：2023-07-25