
基本信息:
- 专利标题: 改善光串扰的发光二极管及其制备方法
- 申请号:CN202211400155.5 申请日:2022-11-09
- 公开(公告)号:CN115775859A 公开(公告)日:2023-03-10
- 发明人: 兰叶 , 王江波 , 吴志浩 , 张威
- 申请人: 华灿光电(浙江)有限公司
- 申请人地址: 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
- 专利权人: 华灿光电(浙江)有限公司
- 当前专利权人: 华灿光电(浙江)有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
- 代理机构: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司
- 代理人: 吕耀萍
- 主分类号: H01L33/58
- IPC分类号: H01L33/58 ; H01L33/44 ; H01L33/00
摘要:
本公开提供了一种改善光串扰的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括:基板、外延层和光改善层,所述外延层位于所述基板上,所述光改善层位于所述外延层的侧壁;所述光改善层包括:第一膜层和第二膜层,所述第一膜层位于所述外延层的侧壁,所述第二膜层位于所述第一膜层远离所述外延层的表面,所述第一膜层的折射率与所述外延层的折射率的差值不超过0.5,所述第二膜层用于吸收入射至所述第二膜层的光线。本公开实施例能有效减少外延层的侧面出光,改善发光二极管的光串扰问题。