基本信息:
- 专利标题： 基于氮化物材料的多结光电转换结构及其制作方法
- 申请号：CN202211029746.6 申请日：2022-08-25
- 公开(公告)号：CN115763606A 公开(公告)日：2023-03-07
- 发明人： 许晟瑞 , 王若冰 , 韩红波 , 王雨佳 , 刘旭 , 胡琳琳 , 贠博祥 , 吴前龙 , 张涛 , 张雅超 , 周弘 , 张进成 , 郝跃
- 申请人： 西安电子科技大学
- 申请人地址： 陕西省西安市太白南路2号
- 专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市太白南路2号
- 代理机构： 陕西电子工业专利中心
- 代理人： 王品华
- 主分类号： H01L31/0687
- IPC分类号： H01L31/0687 ; H01L31/0336 ; H01L31/18
摘要：
本发明公开了一种基于氮化物材料的多结光电转换结构及其制作方法，主要解决现有三结GaInP/GaAs/Ge电池入射光波长的利用率低及光电转换效率有限的问题。其自下而上包括：Ge吸收层、Si吸收层、GaAs吸收层、InGaN吸收层、GaN吸收层、AlGaN吸收层、金刚石吸收层。该InGaN吸收层采用In的组分为15％‑23％的InGaN材料；该AlGaN吸收层采用Al组分为70％‑80％的AlGaN材料；该所有吸收层采用材料的禁带宽度从上至下依次减小，以提高入射光波长的吸收效率。本发明采用多结光电转换结构，增加了P‑N结数，降低了能量损耗，提升了光电转换效率，可用于制作高光电转化效率的太阳能电池。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/042 | ..包括光电池板或阵列，如太阳电池板或阵列 |
| ------------H01L31/068 | ...只是PN单质结型势垒的 |
| --------------H01L31/0687 | ....多结或叠层太阳能电池 |