基本信息:
- 专利标题： 集成电路芯片及其制造方法
- 申请号：CN202210915888.6 申请日：2022-08-01
- 公开(公告)号：CN115701653A 公开(公告)日：2023-02-10
- 发明人： S·D·马里亚尼 , E·皮兹 , D·多里亚
- 申请人： 意法半导体股份有限公司
- 申请人地址： 意大利阿格拉布里安扎
- 专利权人： 意法半导体股份有限公司
- 当前专利权人： 意法半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址： 意大利阿格拉布里安扎
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理人： 丁君军
- 优先权： 17/391,192 20210802 US
- 主分类号： H01L23/485
- IPC分类号： H01L23/485 ; H01L23/31 ; H01L21/56 ; H01L21/60
摘要：
本公开的实施例涉及集成电路芯片及其制造方法。用于集成电路芯片的后段制程(BEOL)结构包括提供焊盘的最后金属结构。焊盘上的钝化结构包括第一开口，其延伸暴露焊盘的上表面。共形氮化物层在钝化结构上延伸并与焊盘的上表面接触。绝缘材料层覆盖共形氮化物层，并包括延伸穿过绝缘材料层和共形氮化物层两者的第二开口。在焊盘的上表面上的共形氮化物层的底部与第二开口自对准。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/482 | ..由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的 |
| ------------H01L23/485 | ...包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头 |