基本信息:
- 专利标题： 光电探测器及其制作方法
- 申请号：CN202211327506.4 申请日：2022-10-26
- 公开(公告)号：CN115692536A 公开(公告)日：2023-02-03
- 发明人： 黄宏娟 , 赵德胜 , 张宝顺 , 陆书龙 , 曾中明
- 申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 申请人地址： 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
- 专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 当前专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
- 代理机构： 深圳市铭粤知识产权代理有限公司
- 代理人： 杨颖英; 武岑飞
- 主分类号： H01L31/108
- IPC分类号： H01L31/108 ; H01L31/0224 ; H01L31/18
摘要：
提供了一种光电探测器，其包括：芯片部和基板部，所述芯片部和所述基板部键合组装在一起，以使所述芯片部的组件一侧面对所述基板部的组件一侧，所述芯片部的背向所述基板部的一侧为入光侧，所述芯片部的芯片电极位于所述芯片部的吸收层和所述基板部之间。还提供了一种该光电探测器的制作方法。本发明的光电探测器及其制作方法，将芯片部作为光入射一侧，从而入射的光直接照射到吸收层上，增大了吸收层的吸光面积，进而提高了光电探测器的响应度。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/10 | ..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管 |
| ------------H01L31/101 | ...对红外、可见或紫外辐射敏感的器件 |
| --------------H01L31/102 | ....仅以一个势垒或面垒为特征的 |
| ----------------H01L31/108 | .....为肖特基型势垒的 |