基本信息:
- 专利标题： 一种高磁性能FeGaB磁电薄膜及其制备方法
- 申请号：CN202211272213.0 申请日：2022-10-18
- 公开(公告)号：CN115612988B 公开(公告)日：2024-09-03
- 发明人： 徐德超 , 赖金明 , 林亚宁 , 陈铭 , 李俊
- 申请人： 西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
- 申请人地址： 四川省绵阳市滨河北路西段268号
- 专利权人： 西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
- 当前专利权人： 西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
- 当前专利权人地址： 四川省绵阳市滨河北路西段268号
- 代理机构： 成都市熠图知识产权代理有限公司
- 代理人： 杨金涛
- 主分类号： C23C14/28
- IPC分类号： C23C14/28 ; C23C14/06 ; H01F10/14
摘要：
本发明公开了一种高磁性能FeGaB磁电薄膜的制备方法，属于磁电薄膜材料技术领域，以FeGa靶材和B靶材为原材料，使用脉冲激光沉积方法，由FeGa靶材和B靶材交替沉积获得，本发明制得的薄膜具有结晶程度高，矫顽力低，粗糙度小的优点，从而能够满足后续的新式磁电器件应用需求，提高后续制作的磁致伸缩/压电器件的磁致伸缩能力和磁电耦合系数，满足应用条件。
公开/授权文献:
- CN115612988A 一种高磁性能FeGaB磁电薄膜及其制备方法 公开/授权日：2023-01-17