基本信息:
- 专利标题： 等离子体刻蚀装置及其运行工艺
- 申请号：CN202110784277.8 申请日：2021-07-12
- 公开(公告)号：CN115602512A 公开(公告)日：2023-01-13
- 发明人： 李娜 , 韩大健 , 王海东 , 郭颂 , 刘海洋 , 张怀东 , 胡冬冬 , 许开东
- 申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司(CN)
- 申请人地址： 江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号
- 专利权人： 江苏鲁汶仪器有限公司(CN)
- 当前专利权人： 江苏鲁汶仪器有限公司(CN)
- 当前专利权人地址： 江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号
- 代理机构： 南京经纬专利商标代理有限公司
- 代理人： 曹翠珍
- 主分类号： H01J37/21
- IPC分类号： H01J37/21 ; H01J37/18 ; H01J37/305 ; H01J37/32 ; H01L21/02 ; H01L21/3065 ; B08B7/00
摘要：
本发明涉及一种等离子体刻蚀装置及其运行工艺，在工艺腔室的内部设计两个遮挡盖，两个遮挡盖合并后形成一个中部完全封闭、上部和底部敞口的漏斗形；遮挡盖连接至气缸，随着气缸同步运动，实现两个遮挡盖之间的开启与关闭。在刻蚀阶段，气缸收缩，带着遮挡盖呈分离状态，不会遮挡晶圆，不会影响晶圆的刻蚀工艺；在清洗阶段：气缸伸长，两个遮挡盖合成一个完整漏斗形，遮挡住晶圆免受刻蚀，不会影响晶圆表面的材料和图形，提高刻蚀均匀性。而且本发明减少了顶针和机械手的来回运动，提高了整体工艺效率，降低了机台故障率，提高设备稳定性，同时根据不同的工艺调节遮挡部的位置，可以灵活的应用于多种工艺场合。