基本信息:
- 专利标题： 半导体器件的测试结构及半导体工艺的监控方法
- 申请号：CN202211343834.3 申请日：2022-10-31
- 公开(公告)号：CN115547869A 公开(公告)日：2022-12-30
- 发明人： 刘欢 , 秋沉沉 , 钱俊 , 孙昌 , 魏峥颖
- 申请人： 上海华力微电子有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区良腾路6号
- 专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区良腾路6号
- 代理机构： 上海思捷知识产权代理有限公司
- 代理人： 罗磊
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; H01L21/265
摘要：
本发明提供了一种半导体器件的测试结构及半导体工艺的监控方法。本发明提供了一种新的半导体器件的测试结构，其可以在晶圆设计切割道时加入，因此，其制造成本低，易操作，并且在生产完成后可以通过WAT相关参数(电容)测试，进而实现监控半导体器件体浓度和离子注入工艺IMP的稳定性波动变化的目的。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |