基本信息:
- 专利标题： 一种半导体结构的制备方法及半导体结构
- 申请号：CN202211294065.2 申请日：2022-10-21
- 公开(公告)号：CN115527929A 公开(公告)日：2022-12-27
- 发明人： 曹新满
- 申请人： 长鑫存储技术有限公司
- 申请人地址： 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- 专利权人： 长鑫存储技术有限公司
- 当前专利权人： 长鑫存储技术有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
- 代理机构： 北京派特恩知识产权代理有限公司
- 代理人： 高天华; 浦彩华
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L27/108 ; H01L21/8242
摘要：
本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中，所述方法包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域，位于第一区域的衬底中形成有多个分立设置的有源区；在衬底上形成堆叠材料层，堆叠材料层包括从下至上分布的介质层和第一半导体层；执行刻蚀工艺，去除部分堆叠材料层及部分衬底，以在第一区域上形成至少一个凹槽，凹槽暴露出部分有源区；形成第二半导体层，第二半导体层至少填充部分凹槽，且第二半导体层的上表面不低于第一半导体层的下表面；执行平坦化工艺，以去除位于第一区域和第二区域的第一半导体层及部分第二半导体层，使得保留下来的第二半导体层的上表面与介质层的上表面齐平。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |