基本信息:
- 专利标题： 一种碳化硅芯片封装结构
- 申请号：CN202210935220.8 申请日：2022-08-05
- 公开(公告)号：CN115497917A 公开(公告)日：2022-12-20
- 发明人： 王亮 , 代安琪 , 周扬 , 马慧远 , 陈巍
- 申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网北京市电力公司
- 申请人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 专利权人： 北京智慧能源研究院,国家电网有限公司,国网北京市电力公司
- 当前专利权人： 北京智慧能源研究院,国家电网有限公司,国网北京市电力公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- 代理机构： 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理人： 王娜
- 主分类号： H01L23/538
- IPC分类号： H01L23/538 ; H01L23/62 ; H01L23/64 ; H01L25/07
摘要：
本发明涉及高压碳化硅芯片封装技术领域，具体涉及一种碳化硅芯片封装结构，包括：芯片本体，包括层叠设置的第一子芯片和第二子芯片，第一子芯片与第二子芯片之间设有芯片绝缘层，第一子芯片与第二子芯片之间串联，芯片导电件贯穿芯片绝缘层设置；印刷线路层，平行设于芯片本体的一侧，第一子芯片与印刷线路层之间连接有发射极引出端子；复合绝缘层，平行设于芯片本体背离印刷线路层的一侧，复合绝缘层朝向芯片本体的一面设有复合导电层，第二子芯片与复合导电层之间电气连接。针对碳化硅芯片高绝缘、低感封装需求采用芯片绝缘板实现中低压碳化硅芯片的串联，串联后的芯片器件能够提高器件整体电压水平，从而实现利用现有低压芯片进行高压封装。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/538 | ..制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构 |