基本信息:
- 专利标题： 一种基于石墨烯/二碲化钨/锗混维异质结的光电二极管及其制备方法和应用
- 申请号：CN202210859469.5 申请日：2022-07-21
- 公开(公告)号：CN115440837B 公开(公告)日：2024-11-15
- 发明人： 李恒义 , 高伟 , 李京波
- 申请人： 华南师范大学
- 申请人地址： 广东省广州市天河区石牌中山大道西55号
- 专利权人： 华南师范大学
- 当前专利权人： 华南师范大学
- 当前专利权人地址： 广东省广州市天河区石牌中山大道西55号
- 代理机构： 广东广信君达律师事务所
- 代理人： 余胜茂
- 主分类号： H01L31/0336
- IPC分类号： H01L31/0336 ; H01L31/109 ; H01L31/18
摘要：
本发明属于宽谱光探测领域，公开了一种基于石墨烯/二碲化钨/锗混维异质结的光电二极管及其制备方法和应用，该光电二极管的结构为石墨烯/二碲化钨/锗混维异质结。该光电二极管是先在Ge片上生长一层绝缘层薄膜，在绝缘层薄膜上刻蚀获得Ge窗口，在该窗口边缘两侧光刻显影电极图案并沉积金属得到源电极和漏电极，将WTe
公开/授权文献:
- CN115440837A 一种基于石墨烯/二碲化钨/锗混维异质结的光电二极管及其制备方法和应用 公开/授权日：2022-12-06
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/0256 | ..以材料为特征的 |
| ------------H01L31/0264 | ...无机材料 |
| --------------H01L31/0328 | ....除掺杂或其他杂质外，包含已列入H01L31/0272至H01L31/032组中两组或更多个组的半导体材料 |
| ----------------H01L31/0336 | .....在不同半导体区域的，如Cu2X/CdX异质结，X为周期表中的Ⅵ族元素 |