基本信息:
- 专利标题： 磁阻传感器的制备方法及磁阻传感器
- 申请号：CN202211056852.3 申请日：2022-08-30
- 公开(公告)号：CN115425142A 公开(公告)日：2022-12-02
- 发明人： 田金鹏 , 张文伟 , 杨光帅 , 王宝杰 , 吕志坚 , 贾原 , 宋秋明 , 张智星 , 欧阳夏
- 申请人： 深圳技术大学
- 申请人地址： 广东省深圳市坪山区兰田路3002号
- 专利权人： 深圳技术大学
- 当前专利权人： 深圳技术大学
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市坪山区兰田路3002号
- 代理机构： 华进联合专利商标代理有限公司
- 代理人： 纪婷婧
- 主分类号： H01L43/12
- IPC分类号： H01L43/12 ; H01L43/02 ; H01L43/08 ; H01L27/22
摘要：
本申请涉及一种磁阻传感器的制备方法及磁阻传感器，包括：提供衬底，所述衬底设有集成电路；于所述衬底表面沉积n层二氧化硅膜层，其中，最远离所述衬底的一层所述二氧化硅膜层的致密度大于最靠近所述衬底的一层所述二氧化硅膜层的致密度，n≥2；于所述二氧化硅膜层的表面形成磁性材料层；于所述磁性材料层表面形成叠层结构，所述叠层结构用于与所述磁性材料层、所述集成电路和n层所述二氧化硅膜层共同构成磁阻传感器。通过多步沉积二氧化硅膜层，所述膜层形成参数渐变的结构，使得磁性材料在高温中发生微区组分再分布的几率降低，避免了磁性材料的性能衰退，从而提升磁阻传感器的性能。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L43/00 | 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L43/12 | .专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |