基本信息:
- 专利标题： 半导体器件的制造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and process for producing the same
- 申请号：CN99108458.6 申请日：1995-12-25
- 公开(公告)号：CN1153267C 公开(公告)日：2004-06-09
- 发明人： 八木能彦 , 东和司 , 熊谷浩一 , 塚原法人 , 米泽隆弘
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 叶恺东
- 优先权： 322032/1994 1994.12.26 JP; 7523/1995 1995.01.20 JP; 9401/1995 1995.01.25 JP
- 分案原申请号： 951131486
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60 ; H01L21/28 ; H01L21/66
摘要：
设置于半导体芯片(4)的表面上的电极端(5)在平面视图上具有方形。而且，设置于电极端(5)上的凸块(8)的突出顶部(8a)指向电极端(5)的角部(5a)。于是，使通过毛细管(1)供给的金丝(2)的下端部熔化而形成的金球(2a)与电极端(5)接合，然后，沿方形电极(5)的对角线方向移动毛细管(1)。因而，使金丝(2)的主体与金球(2a)分离开，以形成凸块(8)。
摘要（英）：
An electrode terminal (5) provided on a surface of a semiconductor chip (4) has a square shape in plane view. Further, the projecting apex portion (8a) of a bump (8) provided on the electrode terminal (5) orients to a corner portion (5a) of the electrode terminal (5). Hereupon, a gold ball (2a) formed by melting the lower end portion of a gold wire (2) supplied through a capillary (1) is joined to the electrode terminal (5), and then the capillary (1) is moved in the direction of a diagonal line of the square electrode (5). Thus, the main portion of the gold wire (2) is separated from the gold ball (2a) so that the bump (8) is formed.
公开/授权文献:
- CN1248062A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2000-03-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |