基本信息:
- 专利标题： 超导量子比特结构及其制作方法
- 申请号：CN202210986697.9 申请日：2022-08-17
- 公开(公告)号：CN115295711A 公开(公告)日：2022-11-04
- 发明人： 冯冠儒 , 项金根 , 孟铁军
- 申请人： 深圳量旋科技有限公司
- 申请人地址： 广东省深圳市福田区福保街道福保社区市花路创凌通科技大厦A座五层508-509室
- 专利权人： 深圳量旋科技有限公司
- 当前专利权人： 深圳量旋科技有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市福田区福保街道福保社区市花路创凌通科技大厦A座五层508-509室
- 代理机构： 深圳市铭粤知识产权代理有限公司
- 代理人： 孙伟峰; 武岑飞
- 主分类号： H01L39/02
- IPC分类号： H01L39/02 ; H01L39/06 ; H01L39/24 ; G06N10/40
摘要：
本发明公开了一种超导量子比特结构，其包括：衬底；地电极，设置于所述衬底上；第一比特电极，设置于所述衬底上，且与所述地电极之间具有间隙；介质层，覆盖于所述第一比特电极上；第二比特电极，设置于所述介质层上，且延伸并与所述地电极接触电连接；超导金属结构，设置于所述间隙中，且分别与所述第一比特电极和所述地电极接触电连接。本发明还公开一种该超导量子比特结构的制作方法。本发明的超导量子比特结构及其制作方法，能够大幅度减小超导量子比特结构中电容电极的面积，从而利于集成小型化。进一步地，本发明的超导量子比特结构具有较好的电磁屏蔽环境，能够有效的减小多比特环境下比特之间的电磁串扰。
公开/授权文献:
- CN115295711B 超导量子比特结构及其制作方法 公开/授权日：2023-06-20
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L39/00 | 应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L39/02 | .零部件 |