基本信息:
- 专利标题： 一种快速获取NAND最优读取数据的方法
- 申请号：CN202211198514.3 申请日：2022-09-29
- 公开(公告)号：CN115295057A 公开(公告)日：2022-11-04
- 发明人： 冯立晖 , 廖莎 , 雷莉 , 王荣生
- 申请人： 杭州阿姆科技有限公司
- 申请人地址： 浙江省杭州市滨江区六和路368号一幢(北)二楼B2200室
- 专利权人： 杭州阿姆科技有限公司
- 当前专利权人： 杭州阿姆科技有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市滨江区六和路368号一幢(北)二楼B2200室
- 代理机构： 杭州宇信知识产权代理事务所
- 代理人： 张宇娟
- 主分类号： G11C16/34
- IPC分类号： G11C16/34 ; G11C16/26
摘要：
本发明公开了一种快速获取NAND最优读取数据的方法，包括：S1、选取读数据的电压阈值偏移范围；S2、读取并存储数据；S3、依次计算每个电压阈值的最优电压阈值，组成最优电压阈值表；S4、逐比特判定最优电压阈值：判定要恢复的数据比特类型，判断出用哪个电压阈值读取当前比特数据，并确定出该电压阈值的最优电压阈值；S5、根据S4得到的该电压阈值的最优电压阈值，完成当前比特数据的恢复；S6、重复S4~S5，每次恢复一个比特数据，依次逐比特分析并恢复数据，最后恢复出NAND闪存颗粒对应最优电压阈值粒度的最优读数据。本发明能提高最优读取数据的准确性和精度；缩短数据读取的总时长，降低数据存储成本。
公开/授权文献:
- CN115295057B 一种快速获取NAND最优读取数据的方法 公开/授权日：2023-01-10
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11C | 静态存储器 |
| ------G11C16/00 | 可擦除可编程序只读存储器 |
| --------G11C16/02 | .电可编程序的 |
| ----------G11C16/06 | ..辅助电路，例如，用于写入存储器的 |
| ------------G11C16/34 | ...编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留 |