基本信息:
- 专利标题： 一种制备具有铁电性的AB堆垛的多层氮化硼薄膜的方法
- 申请号：CN202211037683.9 申请日：2022-08-29
- 公开(公告)号：CN115261978A 公开(公告)日：2022-11-01
- 发明人： 万能 , 施辉 , 王明渊 , 田明 , 束俊鹏 , 陈若望
- 申请人： 东南大学
- 申请人地址： 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- 专利权人： 东南大学
- 当前专利权人： 东南大学
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- 代理机构： 南京瑞弘专利商标事务所
- 代理人： 沈廉
- 主分类号： C30B23/02
- IPC分类号： C30B23/02 ; C30B29/38 ; C30B29/52 ; C23C14/02 ; C23C14/06 ; C23C14/24 ; C23C14/35
摘要：
本发明公开了一种通过化学气相沉积法制备具有铁电性的AB/ABC堆垛的多层氮化硼薄膜的方法，通过磁控溅射制备出（111）晶面的镍单晶薄膜，再沉积一层铁，获得（111）晶面的铁镍合金薄膜；将该薄膜作为催化衬底，置于石英舟中，放在管式炉中的恒温区域；以氨硼烷作为前驱体，置于钽舟中，再将钽舟放在所述石英舟上风口位置；对铁镍合金薄膜衬底进行退火处理；将钽舟放在石英管内，加热带裹在钽舟位置处的石英管管壁外，加热至100‑120℃，铁镍合金薄膜衬底上开始生长多层氮化硼；待管式炉降至室温后，取出具有铁电性的AB/ABC堆垛的多层氮化硼薄膜。通过此方法，最终能够实现大面积连续、单晶的、AB堆垛的、具有铁电性的氮化硼薄膜。
公开/授权文献:
- CN115261978B 一种制备具有铁电性的AB堆垛的多层氮化硼薄膜的方法 公开/授权日：2023-08-04