基本信息:
- 专利标题： 用于化学气相沉积反应器的基座
- 申请号：CN202180015499.1 申请日：2021-02-12
- 公开(公告)号：CN115176349A 公开(公告)日：2022-10-11
- 发明人： S·坎丹 , A·伊格纳提夫 , M·诺沃日洛夫 , J·朱厄特
- 申请人： 梅托克斯技术公司
- 申请人地址： 美国德克萨斯州
- 专利权人： 梅托克斯技术公司
- 当前专利权人： 梅托克斯国际公司
- 当前专利权人地址： 美国德克萨斯州
- 代理机构： 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理人： 杨文娟; 臧建明
- 优先权： 62/979,352 20200220 US
- 国际申请： PCT/US2021/017935 2021.02.12
- 国际公布： WO2021/167847 EN 2021.08.26
- 进入国家日期： 2022-08-18
- 主分类号： H01L39/24
- IPC分类号： H01L39/24 ; C23C16/455
摘要：
沉积反应器(800)中使用的基座(200)提供热量输入并控制错误沉积的累积。基座加热反应器内的基板带(120)，基板带上沉积有一层或多层薄膜，特别是在金属有机化学气相淀积MOCVD反应器中产生的高温超导HTS薄膜。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L39/00 | 应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L39/24 | .专门适用于制造或处理包含在H01L39/00组内的器件或其部件的方法或设备 |