基本信息:
- 专利标题： 一种SiC MOSFET短路保护电路
- 申请号：CN202210866691.8 申请日：2022-07-22
- 公开(公告)号：CN115173843A 公开(公告)日：2022-10-11
- 发明人： 黄樟坚 , 汪涛 , 虞晓阳 , 张茂强 , 李响 , 王子龙 , 骆仁松
- 申请人： 南京南瑞继保电气有限公司 , 南瑞集团有限公司
- 申请人地址： 江苏省南京市江宁区苏源大道69号;
- 专利权人： 南京南瑞继保电气有限公司,南瑞集团有限公司
- 当前专利权人： 南京南瑞继保电气有限公司,南瑞集团有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市江宁区苏源大道69号;
- 代理机构： 南京经纬专利商标代理有限公司
- 代理人： 刘莎
- 主分类号： H03K17/082
- IPC分类号： H03K17/082 ; H03K17/042 ; H02H7/20
摘要：
本发明公开了一种SiC MOSFET短路保护电路，包括逻辑控制单元、栅极驱动器、短路故障检测电路和短路保护动作电路；所述逻辑控制单元包括启动单元1、启动单元2；所述短路故障检测电路包括漏源电压式故障检测单元、栅极电压/电荷式故障检测单元、漏源电流式故障检测单元。本发明结合漏源电压式短路保护动作更可靠，栅极电压/电荷式和基于检测电感的漏源电流式短路保护响应速度更快的优点，通过栅极电压/电荷式故障检测单元和漏源电流式故障检测单元的检测结果分别触发启动单元1、启动单元2，任一启动单元被触发，则加速单元动作，加快漏源电压式故障检测单元响应速度，若启动单元1和启动单元2都被触发，则短路保护动作电路软关断SiC MOSFET。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03K | 脉冲技术 |
| ------H03K17/00 | 电子开关或选通，即不通过通断接触的 |
| --------H03K17/08 | .开关电路过流或过压保护的改进 |
| ----------H03K17/082 | ..通过从输出电路到控制电路的反馈 |