基本信息:
- 专利标题： 一种具有洁净表面的金纳米结构有序阵列SERS基底的制备方法
- 申请号：CN202210541950.X 申请日：2022-05-18
- 公开(公告)号：CN115125490A 公开(公告)日：2022-09-30
- 发明人： 方小毓 , 林翔 , 周师洁 , 刘枫平 , 王利
- 申请人： 大连民族大学
- 申请人地址： 辽宁省大连市经济技术开发区辽河西路18号
- 专利权人： 大连民族大学
- 当前专利权人： 大连民族大学
- 当前专利权人地址： 辽宁省大连市经济技术开发区辽河西路18号
- 代理机构： 大连智高专利事务所
- 代理人： 宋文君
- 主分类号： C23C14/24
- IPC分类号： C23C14/24 ; C23C14/16 ; C23C14/58 ; C23C18/54 ; C23C14/02 ; G01N21/65 ; B82Y40/00
摘要：
本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种具有洁净表面的金纳米结构有序阵列SERS基底的制备方法。包括亲水处理、成膜操作、热处理、刻蚀处理、蒸镀处理、置换处理。本发明结合真空蒸镀法和置换反应，制备出了一种洁净且高效的有序贵金属纳米结构，成本低廉，操作简便易行灵敏度高；本发明中的有序贵金属纳米结构，制备过程中没有引入任何的表面活性剂，空白基底干净，不会产生任何的背底干扰信号。