基本信息:
- 专利标题： 超结半导体器件及其制备方法
- 申请号：CN202210990168.6 申请日：2022-08-18
- 公开(公告)号：CN115064446B 公开(公告)日：2022-12-16
- 发明人： 赵东艳 , 肖超 , 陈燕宁 , 邵瑾 , 付振 , 刘芳 , 田俊 , 张泉 , 尹强
- 申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国家电网有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼; ;
- 专利权人： 北京智芯微电子科技有限公司,北京芯可鉴科技有限公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人： 北京智芯微电子科技有限公司,北京芯可鉴科技有限公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼; ;
- 代理机构： 北京智信四方知识产权代理有限公司
- 代理人： 彭杰
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/06 ; H01L29/78
摘要：
本公开涉及功率半导体领域，具体公开了一种超结半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：通过深沟槽刻蚀工艺在晶圆的第一预定区域刻蚀得到至少一个Ai深沟槽，在所述Ai深沟槽中填充掺杂浓度为NAi的第一外延层形成第i层第一导电类型的外延柱；通过深沟槽刻蚀工艺在晶圆的第二预定区域刻蚀得到至少一个Di深沟槽，在所述Di深沟槽中填充掺杂浓度为NDi的第二外延层形成第i层第二导电类型的外延柱；循环上述步骤在晶圆中制作超结结构。该技术方案可以解决传统深沟槽单次外延填充产生的空洞问题；主要用于制备超结半导体器件。
公开/授权文献:
- CN115064446A 超结半导体器件及其制备方法 公开/授权日：2022-09-16
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |