基本信息:
- 专利标题： 半导体产品的制造方法
- 专利标题（英）：Process for producing semiconductor article
- 申请号：CN97107286.8 申请日：1997-12-18
- 公开(公告)号：CN1150594C 公开(公告)日：2004-05-19
- 发明人： 坂口清文 , 米原隆夫 , 西田彰志 , 山方宪二
- 申请人： 佳能株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 佳能株式会社
- 当前专利权人： 佳能株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 付建军
- 优先权： 354342/1996 1996.12.18 JP
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L21/304
摘要：
提供一种生产半导体产品的工艺，包括下列步骤，把膜粘接到具有多孔半导体层的衬底上，通过在剥离方向对膜施加力，在多孔半导体层从衬底上剥离该膜。
公开/授权文献:
- CN1190248A 半导体产品的制造工艺 公开/授权日：1998-08-12
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |