基本信息:
- 专利标题： 用于物体的电容位置检测的传感器布置
- 申请号：CN202180011792.0 申请日：2021-01-25
- 公开(公告)号：CN115053457A 公开(公告)日：2022-09-13
- 发明人： L·拉梅施 , T·潘佩尔 , M·皮茨 , B·吕埃 , L·范斯特拉伦
- 申请人： IEE国际电子工程股份公司
- 申请人地址： 卢森堡埃希特纳赫
- 专利权人： IEE国际电子工程股份公司
- 当前专利权人： IEE国际电子工程股份公司
- 当前专利权人地址： 卢森堡埃希特纳赫
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 刘瑜
- 国际申请： PCT/EP2021/051613 2021.01.25
- 国际公布： WO2021/151835 EN 2021.08.05
- 进入国家日期： 2022-07-29
- 主分类号： H03K17/955
- IPC分类号： H03K17/955
摘要：
本发明涉及一种用于对物体(100)进行电容检测的传感器布置(1)，包括：‑电极布置(20)，其包括作为电极(21、22)的加热元件(4)；‑检测设备(10)，其适于将检测信号施加到电极布置(20)的传感器电极(21)，并且电容性地检测传感器电极(21)附近物体(100)的存在；‑高边开关(30)，其连接在具有第一电位(V1)的加热电源(2)和加热元件(4)之间；‑低边开关(40)，其连接在加热元件(4)和第二电位(GND)之间；以及‑栅极控制器(50)，其适于在加热模式下闭合高边开关(30)和低边开关(40)，并且在检测模式下打开高边开关(30)和低边开关(40)。为了增加利用加热器元件作为电极的电容检测的准确性，本发明提供了：传感器布置还包括去耦电路(60)，其包括连接在高边开关(30)和加热元件(4)之间的去耦MOSFET(70)，其中栅极控制器(50)适于在加热模式下闭合去耦MOSFET(70)并且在检测模式下打开去耦MOSFET(70)，并且去耦电路(60)适于在检测模式期间在第一节点(61)处主动提供第三电位(V2)，所述第一节点(61)连接在高边开关(30)和去耦MOSFET(70)之间。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03K | 脉冲技术 |
| ------H03K17/00 | 电子开关或选通，即不通过通断接触的 |
| --------H03K17/51 | .按使用特殊元件区分的 |
| ----------H03K17/945 | ..接近开关 |
| ------------H03K17/955 | ...应用容性检测器的 |